距离成功上市临门一脚之际，欲登陆科创板的苏州锴威特半导体股份有限公司(简称“锴威特”)科创属性再遭监管问询。近日，证监会官网披露了对锴威特注册阶段问询问题，要求其就技术先进性及市场竞争力方面问题进行说明，并请保荐机构和发行人律师对上述事项进行核查并发表明确意见。
　　一位投行人士向记者表示，作为聚焦“硬科技”的科创板，其IPO审核中科创属性无疑是监管层关注的重中之重，一家企业在注册阶段，科创属性方面仍引起监管质疑，对其能否拿到注册批文不容乐观。
　　科创属性三度遭问询技术先进性成关注重点
　　锴威特科创板IPO于去年12月6日过会，在今年1月12日提交注册。2月2日，证监会披露锴威特注册阶段问询问题，再次指向其技术先进性及市场竞争力。
　　证监会指出，锴威特的MOSFE产品集中于消费电子领域，工业、汽车领域拓展较少，销售形态以中测后晶圆为主。同时，锴威特在招股书(注册稿)中“功率器件发展至今相关理论比较成熟，其发展不依赖于先进制程工艺，关键技术主要在于重要工艺诀窍(Know-How)”相关表述也引发证监会关注。
　　对此，证监会在注册阶段问询中要求锴威特说明，公司技术储备是否可以充分满足工业、汽车领域需求，公司拓展工业、汽车领域是否存在严重技术壁垒；公司所掌握的工艺诀窍(Know-How)与晶圆代工企业生产制造技术的边界是否清晰，技术先进性是否依赖代工企业实现；与国内厂商相比，公司主要产品性能指标以及专利、技术秘密等技术储备是否具备优势等，并要求保荐机构和发行人律师对上述事项进行核查并发表明确意见。
　　值得关注的是，锴威特的科创属性问题并非首次被监管关注。《经济参考报》记者注意到，在科创板审核问询阶段，锴威特的科创属性两度被交易所问询。
　　2022年7月5日，上交所在首轮审核问询中，针对锴威特技术先进性和主要产品及市场竞争力方面，连发9问，要求其说明公司平面MOSFET是否符合技术发展趋势、是否面临被替代的风险；结合相关产品的市场竞争格局，充分分析公司产品的市场竞争力及业绩增长点，并进行充分的风险揭示等。
　　2022年9月23日，在第二轮审核问询中，上交所指出锴威特在首轮问询回复中对公司平面MOSFET在国内的市场地位、功率IC细分产品的技术门槛及竞争状况等介绍不充分，并再次针对锴威特发明专利与技术来源、技术先进性及市场竞争力方面进行追问，要求其说明MOSFET产品技术是否无法满足新颖性和创造性要求；分析平面MOSFET是否与沟槽型MOSFET、高压超结MOSFET存在直接竞争关系、公司产品竞争力的体现，未来技术发展趋势、是否面临技术迭代风险等问题。
　　产品结构单一 “拳头”产品存替代风险
　　锴威特从设立之初，就瞄准当时国产平面MOSFET可靠性较低的痛点，决定以平面MOSFET技术路线作为主要研发方向，集中优势研发力量进行产品攻关，推出的平面MOSFET取得了市场认可。财务数据显示，报告期内锴威特实现营业收入分别为1.07亿元、1.37亿元、2.10亿元和1.19亿元。
　　不过，相较行业内其他可比公司，锴威特的产品收入结构相对单一，主要集中于平面MOSFET产品。招股书显示，报告期内，锴威特的平面MOSFET产品实现收入分别为9170.34万元、11829.19万元、16878.04万元和6458.63万元，占同期主营业务比例分别为86.71%、88.39%、83.07%和55.35%。
　　值得警惕的是，半导体行业技术迭代速度较快，随着新技术新材料的发展，锴威特的平面MOSFET产品或存替代风险。
(来源：招股书)
　　虽然平面型MOSFET凭借参数一致性好、电压覆盖范围广等优点被广泛应用。但在中低压端，沟槽型MOSFET凭借热稳定性好，损耗低等优点，与平面型MOSFET存在竞争关系；在高压端，以频率超高、损耗极低为优点的超结MOSFET也与平面型MOSFET存在竞争关系。
　　“采用新型器件结构的高性能功率器件可以实现更好的性能，从而导致采用传统技术的功率器件的市场空间可能被升级替代。”一位集成电路上市公司技术总监对记者表示，当采用新技术的高性能MOSFET功率器件生产工艺演进到成熟稳定的阶段时，就会对现有的功率MOSFET进行替代。同时，随着各个应用领域对性能和效率的要求不断提升，也需要采用更高性能的功率器件以实现产品升级。
　　对此，锴威特在招股书中坦言，如因新技术的发展使沟槽型MOSFET和超结MOSFET的电压覆盖更宽且相关量产工艺成熟，则平面MOSFET与两类MOSFET的市场竞争可能加剧，存在市场空间被挤压的风险。
　　先进产品尚无放量成果转化有待观察
　　值得关注的是，锴威特在招股书中强调其产品主要以高压(400V以上)平面MOSFET为主，集中于500V-650V电压段产品，产品主要运用于消费电子领域，而在工业、汽车领域少有涉及。报告期内，公司消费电子领域收入占比分别为80.58%、83.76%、80.76%和46.32%。锴威特超高压平面MOSFET规模较小，销售额分别仅为282.79万元、362.14万元、752.75万元和562.15万元。
　　在积极布局平面MOSFET高端领域产品同时，锴威特MOSFET产品也正在向沟槽型MOSFET和超结MOSFET进行延伸，目前沟槽型MOSFET已形成30V-150V电压规格的产品系列，超结MOSFET已形成600V-800V电压规格的产品系列。与此同时，锴威特表示沟槽型MOSFET和超结MOSFET的产品性能指标与国内外竞争对手相接近，产品研发中不存在技术瓶颈。
　　值得一提的是，锴威特2019年才逐步开始沟槽型MOSFET和超结MOSFET的研发布局。从研发布局，到产品性能指标比肩同行仅两年多时间，是否意味着锴威特研发实力雄厚了？
(发行人与同行业可比公司对比情况，来源：招股书)
　　从研发投入及专利技术来看，记者查阅招股书注意到，锴威特在研发投入、研发人员数量、专利技术数量等方面与同行可比公司存在不小差距。报告期内，锴威特研发费用分别为771.00万元、1388.55万元、1886.27万元和1166.63万元，其中用于沟槽型MOSFET、高压超结MOSFE、SiC(碳化硅)基MOS管等产品研发费用累计分别为179.37万元、661.04万元、578.35万元和215.56万元。而据同行上市企业华润微财报显示，仅2022年上半年，公司投入到SiC功率器件设计及工艺技术研发费用已超3000万元。
　　业内人士指出，产品是否具备市场竞争力，不能单从其自身性能指标来看，还需综合考虑公司市场地位、市场占有率、产品成本及售价等多方面因素。
　　“通俗来讲，对于一家半导体企业来说，就像一个饭馆需要有招牌菜，需要有所谓‘撑场面’的技术或产品。它可能不挣钱但必须要有，真正能给它带来稳定收益的还是中低端产品”上述技术总监向记者介绍，沟槽型、超结型等高性能MOSFET对晶圆代工厂设备精度的依赖性较高，国内满足沟槽型MOSFET和超结MOSFET产品工艺精度要求的晶圆代工厂数量相对较少，Fabless企业存在产能受限风险，与同行IDM企业(垂直一体化模式企业)竞争时在产品规模、成本等方面或处于弱势地位。
　　此外，记者发现，锴威特沟槽型MOSFET、高压超结MOSFET、SiC功率器件、功率IC存在少量外购产品再次销售情形。报告期内，公司外采自身已开发但尚未批量出货的产品销售收入金额分别为71.79万元、84.32万元、200.25万元和59.69万元；外采未开发产品销售收入金额分别为18.41万元、186.23万元、398.49万元和189.79万元。
　　上述情况也引起上交所关注，在审核问询中要求锴威特说明，沟槽型MOSFET、高压超结MOSFET、FRMOS、SiC功率器件竞争对手的技术水平、收入规模及市占率情况，报告期内收入增长缓慢的原因、是否存在技术瓶颈，外采SiC产品研发服务的具体情况、是否具备SiC技术研发能力，结合前述内容及公司产品的竞争力、委外研发情况、在手订单及产能分配情况等，分析公司未来是否较难拓展前述市场。
　　证监会在注册阶段问询中也要求锴威特说明公司主要产品市场需求是“技术第一”还是“成本第一”，先进产品与国内同行业公司相比是否有成本优势等。
　　针对公司科创属性、注册阶段问询回复进度等问题，《经济参考报》记者致电锴威特进行采访。锴威特证券部一位王姓(音译)人士在电话中向记者表示，不方便透露问询回复进展，详细情况需留意公司信息披露更新。
（文章来源：经济参考网）