赛微电子:聚能创芯的8英寸硅基GaN外延生长技术在业界处于领先水平,赛微电子最新消息,赛微电子最新信息

《 赛微电子 300456 》

财务数据 | 十大股东 | 历史市盈率 | 龙虎榜

热点题材 | 分红股息 | 历史市净率 | 资金流

赛微电子:聚能创芯的8英寸硅基GaN外延生长技术在业界处于领先水平
2024-03-18 16:11:00


K图 300456_0
  有投资者在投资者互动平台提问:董秘您好,公司氮化镓(GaN)外延材料及器件的研发生产能力和在研制 8 英寸硅基氮化镓外延晶圆方面在业界处于什么水平?谢谢

  赛微电子(300456.SZ)3月17日在投资者互动平台表示,聚能创芯的8英寸硅基GaN外延生长技术在业界处于领先水平;聚能创芯完成融资后不再是公司控股子公司,不再纳入公司合并报表范围;但这并不意味着公司不再关注GaN领域,公司是以新的角色继续关注、支持聚能创芯氮化镓(GaN)业务的发展。
(文章来源:每日经济新闻)
免责申明: 本站部分内容转载自国内知名媒体,如有侵权请联系客服删除。

赛微电子:聚能创芯的8英寸硅基GaN外延生长技术在业界处于领先水平,赛微电子最新消息,赛微电子最新信息

sitemap.xml sitemap2.xml sitemap3.xml sitemap4.xml