“第三代半导体技术水平持续提升，市场保持高速增长，行业投融资与扩产热情不减，2023年全年仅SiC相关投资就超过千亿元。”4月9日，第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲在接受上证报记者采访时表示。
　　当天，在2024九峰山论坛暨化合物半导体产业博览会上，吴玲代表第三代半导体产业技术创新战略联盟发布《第三代半导体产业发展报告》（下简称“报告”）。
　　报告显示，2023年，第三代半导体功率电子器件模块市场达到153.2亿元，同比增长45%；射频电子器件模块市场约102.9亿元，同比增长16.2%；LED器件市场782.2亿元，同比微增0.5%。
　　新能源汽车为市场增长的主要驱动力。据统计，在功率电子器件模块市场，来自新能源汽车的业务占比超过70%。
　　面对巨大的市场需求，车企纷纷布局第三代半导体业务。如比亚迪借助子公司比亚迪半导体重金投入，蔚来建设了SiC功率模块工艺试验线；三大汽车央企均选择合资模式，如上汽集团与英飞凌合资成立上汽英飞凌，上汽集团还与上海微技术工业研究院成立上海汽车芯片工厂中心；此外，一批汽车企业选择战略投资功率半导体企业，如小鹏投资天岳先进和瞻芯电子。
　　报告还显示，2023年，第三代半导体功率电子领域融资项目78起，披露金额约440亿元，相较于2022年的披露金额63.2亿元大幅增长。行业内出现多起大额融资，如积塔半导体融资135亿元、长飞先进融资超38亿元，三安光电获股东增资100亿元等。
　　吴玲介绍，国内第三代半导体技术和产业取得显著进步。国产6寸衬底+外延实现批量生产，国内主流厂商8英寸SiC衬底基本完成送样，预期在2025年前后量产；国产SiC MOSFET在光、储、充领域全面开始导入，汽车主驱2024小批量导入；企业开始布局或开发沟槽栅SiC MOSFET，三安集成、中车时代，积塔、华为、华润微、士兰微等都规划开发沟槽栅SiC MOSFET，多个企业已获得相关专利。
　　吴玲同时提到，当前，我国第三代半导体技术和产业发展面临着诸多挑战，如核心材料和器件的规模化生产能力亟待突破；开放的、企业深度有效参与的研发中试和验证平台能力有待提升；企业小、散、弱，低水平同质竞争，产业集中度低，产业体系和生态亟待完善；标准、检测认证、质量评价体系、各层次人才队伍相比产业发展滞后，亟需加强等。
（文章来源：上海证券报·中国证券网）