买入1：机构专用
买入金额：5932万，卖出金额： 0万
净买入：5932万

买入2：招商证券深圳蛇口工业三路
买入金额：3610万，卖出金额： 2万
净买入：3608万

买入3：中泰证券天津红旗路
买入金额：3514万，卖出金额： 0万
净买入：3514万

买入4：国信证券上海北京东路
买入金额：2373万，卖出金额： 383万
净买入：1990万

买入5：深股通专用
买入金额：1602万，卖出金额： 3627万
净买入：-2025万

卖出1：深股通专用
买入金额：1602万，卖出金额： 3627万
净买入：-2025万

卖出2：机构专用
买入金额：0万，卖出金额： 2620万
净买入：-2620万

卖出3：机构专用
买入金额：0万，卖出金额： 1951万
净买入：-1951万

卖出4：机构专用
买入金额：0万，卖出金额： 1566万
净买入：-1566万

卖出5：机构专用
买入金额：0万，卖出金额： 1542万
净买入：-1542万

炒作原因：国资+6G+卫星通信+军工IGBT
1、公司实控人为国务院国资委，作为国内电子信息技术领域的佼佼者，长期致力于新型电子元器件、移动通信终端及通信设备的研发、生产和销售。
2、公司产品可应用于中国卫星、中国卫通等卫星通信以及6G相关领域，亦可应用于低轨卫星。
3、公司是国内唯一军用IGBT供应商，目前已有多款IGBT芯片、耐高温高湿片式钽电容器完成设计定型并开始批量供货。在新能源领域，完成JF-1246型熔断器全部规格产品、厚膜DC/DC变换器超宽输入电压范围系列产品研制。
4、2024年4月12日互动，半导体功率器件及碳化硅产品主要应用于特种领域；正在密切关注固态电池发展态势并开展相关研发取得显著进展；已成功研制部分氮化镓衬底的功率器件-GaN HEMT。
（更新时间：2024-04-15）