查看研报：买入0、增持3、利润0.44亿、利润增9.36%

东微半导 核心题材：
脑机接口+IGBT+逆变器+第三代半导体
1、上海东脑智合技术是由东微半导董事长龚轶先生与中国科学院半导体所研究员、国科大岗位教授裴为华先生共同设立的一家汇聚了半导体和神经科学领域人才的专注于侵入式脑机接口技术研发的创新型企业。
2、公司加大IGBT大功率单管产品研发投入力度，拓展除微型逆变器及储能之外的其他光储、电站应用场景，并配合终端IGBT模块厂商进行电站、新能源汽车主驱的客户导入、产品验证工作。
3、公司独创结构的Tri-gate IGBT新型功率器件由中小功率产品拓展至大功率产品方向研发应用，尤其在电站用逆变器细分场景获得终端客户的认可并被选用，性能超越国际大厂，在高端应用领域实现国产替代。
4、公司在第三代半导体研发及产业化方面进行了提前布局，在SiC二极管、SiC MOSFET及Si2C MOSFET器件上取得了较大的研发进展。
（更新时间：2026-01-05）

题材要点：
要点一：拟购买深圳慧能泰半导体科技有限公司53.0921%股权
苏州东微半导体股份有限公司 ( 688261.SH ) 计划购买深圳慧能泰半导体科技有限公司53.0921%股权。该事项进度为进行中。（一）交易对上市公司未来财务状况和经营成果的影响。\n标的公司主要从事高性能模拟和混合集成电路的定义、开发和商业化推广，包括USBType-C生态链和数字能源两大领域，主要产品方向为智能快充产品线以及数字能源产品线。公司通过收购将有望实现与标的公司在如下方面的协作及布局：\n1、协议芯片：\n慧能泰的协议芯片采用其独创的技术方案，通过将MOS管等外围器件合封进单一芯片，实现了“单芯片0外围”。公司快充协议芯片是主流的65W以内的适配器领域的主要厂商，E-marker芯片（电子标签芯片）亦是国内重要供货商。公司产品已打入联想、小米、三星等头部客户供应链。\n慧能泰客群与公司中低压MOS客群重合度较高，有望通过公司渠道和客户资源，进入更广阔的客户群；同时，随着PD快充协议的进一步普及，产品有望切入更多新的应用领域，如无人机、电动工具、家电等新场景，进一步扩大优质产品的市场覆盖率。\n2、数字控制IC：\n数字能源控制IC，是公司布局先进能源领域的重要一步。数字控制凭借极其优秀的灵活性，保密性，性能的稳定性在电源系统中成为常见选择，但目前市场主流依旧是国外大厂的数字控制器，优质的国产竞品较少。\n慧能泰数字控制IC产品已实现成功落地，现阶段虽规模体量较小，但经重要客户测试验证并通过其产品链进入国际大厂，核心优势在于电源转换效率与软件可编程特性。数字控制可实现逐周期精准调节、自适应负载变化，无需依赖外部补偿网络，既能简化设计流程，又能支撑其他复杂场景的供电需求。随着以数据中心、新能源汽车等为代表的应用领域电能系统管理的全面数字化，数字控制+高性能功率器件正成为大功率电源主流技术，慧能泰产品可以与驱动芯片产品、公司的高性能功率器件产品形成强协同，填补国内高端数字能源控制芯片的稀缺性空白。面向东微半导已有的广泛的高性能电源客户群，提供基于高性能功率器件+数字控制IC的整体解决方案，提供客户更多价值。\n3、产业协同：\n公司的优势在于高性能的“执行”单元—高性能功率器件，而慧能泰则提供了顶层的“控制”单元（数字控制IC）和关键的“驱动”单元。三者结合，构成了从信号处理、逻辑控制到功率输出的完整“控制－驱动－执行”全链路解决方案。这将有助于公司从单一的功率器件供应商，升级成为面向新一代数字能源管理系统解决方案的供应商。\n本次交易完成后，双方将有望充分发挥协同作用，依托慧能泰优秀的研发团队（核心团队成员来自国际顶尖的电源IC设计公司亚德诺(ADI)、德州仪器（TI）等，团队具备近20年数字电源开发经验）与公司的器件技术、品牌及渠道资源，共同推动产品进入下一代数字能源管理系统的高潜力市场，提供从芯片到模组的一体化解决方案。本次交易有助于公司持续丰富产品线、巩固核心竞争力，契合公司长期战略与行业发展趋势，为公司长期价值提升与高质量发展奠定基础。\n本次交易完成后，慧能泰将成为公司的控股子公司，纳入公司合并报表范围。本次交易的资金来源为公司自有资金和/或自筹资金（含银行借款），不会影响公司正常的生产经营活动，不会对公司财务状况及经营成果造成重大不利影响，不存在损害公司及股东特别是中小股东利益的情形。

要点二：高性能功率器件研发与销售
东微半导公司是一家专注于高性能功率器件研发与销售的半导体企业，主要从事高压超级结MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET、TGBT、SiC MOSFET及Si2C MOSFET等产品的生产和销售。公司在超级结MOSFET领域拥有多项行业领先的专利技术，产品技术指标达到国际水平。其产品广泛应用于汽车、工业、消费电子等领域，尤其是在新能源汽车、光伏逆变及储能、5G基站电源等工业级和汽车级市场中表现突出。报告期内，车规级和工业级领域的营业收入占比超过76%，显示出这些领域对公司整体营收的重要性。公司不断通过技术创新和产品性能提升来满足市场需求，并积极扩展产品规格及终端客户群体。

要点三：高压超级结MOSFET
东微半导公司在高压超级结MOSFET领域积累了优化电荷平衡技术等专利，产品技术指标达国际水平。该产品在报告期内实现营业收入4.69亿元，较上年同期增长40.36%，在数据中心服务器电源等领域继续保持增长。

要点四：中低压屏蔽栅MOSFET
公司中低压屏蔽栅MOSFET产品具备竞争力，广泛应用于汽车、工业及消费电子设备领域。报告期内，该产品实现营业收入1.18亿元，较上年同期增长62.14%，显示出其在市场中的稳定需求和增长潜力。

要点五：SiC器件
东微半导公司在SiC器件领域取得显著进展，SiC MOSFET产品已实现量产。报告期内，SiC器件产品（含Si2C MOSFET）实现营业收入34.91万元，较上年同期增长5.24%，显示出其在高性能应用领域的快速发展和市场认可。

要点六：产品应用领域
公司产品在汽车、工业、消费等领域均衡发展，车规级、工业级领域收入占比逾76%。主要应用于光伏逆变及储能、新能源汽车充电、5G基站电源、数据中心等，满足高性能和高可靠性需求，推动公司市场拓展。

要点七：TGBT
公司的TGBT产品采用具有独立知识产权的TGBT器件结构，区别于国际主流IGBT技术的创新型器件技术，通过对器件结构的创新实现了关键技术参数的大幅优化。报告期内，公司Tri-gate IGBT产品实现营业收入2,066.61万元,较上年同期增长88.62%。

要点八：超级硅MOSFET
公司的超级硅MOSFET产品是公司自主研发、性能对标氮化镓功率器件产品的高性能硅基MOSFET产品。报告期内，超级硅MOSFET产品实现营业收入168.89万元，较上年同期增长18.15%。

要点九：功率模块
公司的超级结MOSFET塑封模块，在液冷式算力服务器电源领域取得了量产突破；车载OBC领域公司布局了全系列塑封模块，包括超级结MOSFET、TGBT以及SiC MOSFET主力产品线平台，为400V和800V平台新能源汽车OBC提供整套功率模块解决方案。报告期内，公司功率器件模块产品实现营业收入610.96万元。

要点十：超级结MOSFET技术先锋
东微半导公司是一家专注于高性能功率器件研发与销售的技术驱动型半导体企业，处于计算机、通信和其他电子设备制造业中的功率半导体分立器件细分领域。公司凭借多年的技术优势和产业链结合能力，已成为国内领先的高性能功率半导体厂商之一。其在超级结MOSFET领域积累了多项行业领先的专利技术，产品技术指标达到国际水平。公司产品广泛应用于汽车、工业、消费等领域，特别是在车规级和工业级市场具有较高的市场份额。公司在光伏逆变及储能、新能源汽车充电设备等领域的产品表现出色，具有广阔的进口替代空间。