1、拓荆科技 688072：
半导体薄膜沉积设备+ PECVD+年报增长
1、公司产品已经进入国内60多条产线。公司研制的ALD设备系列产品包括PE-ALD设备和Thermal-ALD设备，PE-ALD设备已实现量产，Thermal-ALD设备已出货至不同客户端进行验证，SACVD和HDPCVD设备均已实现产业化。
2、公司主要从事半导体薄膜沉积设备，已广泛应用于国内晶圆厂14nm及以上制程集成电路制造产线,并已展开10nm及以下制程产品验证测试。
3、公司是国内唯一一家产业化应用的集成电路PECVD设备厂商，最高可适配14nm逻辑芯片、17nmDRAM及128层FLASH制造工艺需求。
4、公司供应中芯国际、华虹集团等。公司拟投资7.5亿，用于高端半导体设备扩产项目、先进半导体设备的技术研发与改进项目、ALD设备研发与产业化项目。
5、2024年2月26日公告，公司2023年净利润6.65亿元，同比增长80.38%，变动由营收增长等引起。
（2024-10-08）

2、拓荆科技 688072：
半导体薄膜沉积设备+ PECVD+年报增长
1、公司产品已经进入国内60多条产线。公司研制的ALD设备系列产品包括PE-ALD设备和Thermal-ALD设备，PE-ALD设备已实现量产，Thermal-ALD设备已出货至不同客户端进行验证，SACVD和HDPCVD设备均已实现产业化。
2、公司主要从事半导体薄膜沉积设备，已广泛应用于国内晶圆厂14nm及以上制程集成电路制造产线,并已展开10nm及以下制程产品验证测试。
3、公司是国内唯一一家产业化应用的集成电路PECVD设备厂商，最高可适配14nm逻辑芯片、17nmDRAM及128层FLASH制造工艺需求。
4、公司供应中芯国际、华虹集团等。公司拟投资7.5亿，用于高端半导体设备扩产项目、先进半导体设备的技术研发与改进项目、ALD设备研发与产业化项目。
5、2024年2月26日公告，公司2023年净利润6.65亿元，同比增长80.38%，变动由营收增长等引起。
（2024-02-29）

3、拓荆科技 688072：
半导体薄膜沉积设备+ PECVD
1、公司产品已经进入国内60多条产线，公司PECVD、ALD等成熟产品量产规模持续扩大。公司研制的ALD设备系列产品包括PE-ALD设备和Thermal-ALD设备，PE-ALD设备已实现量产，Thermal-ALD设备已出货至不同客户端进行验证，SACVD和HDPCVD设备均已实现产业化。
2、公司主要从事半导体薄膜沉积设备，已广泛应用于国内晶圆厂14nm及以上制程集成电路制造产线,并已展开10nm及以下制程产品验证测试。
3、公司是国内唯一一家产业化应用的集成电路PECVD设备（收入占比89.11%）厂商，最高可适配14nm逻辑芯片、17nmDRAM及128层FLASH制造工艺需求，产品能够兼容多种反应材料。
4、公司供应中芯国际、华虹集团等国内主流晶圆厂产线。公司拟投资7.5亿，用于高端半导体设备扩产项目、先进半导体设备的技术研发与改进项目、ALD设备研发与产业化项目。
（2023-09-28）

4、拓荆科技 688072：
半导体薄膜沉积设备+ PECVD
1、公司主要从事半导体薄膜沉积设备，主产品包括等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备、原子层沉积(ALD)设备和次常压化学气相沉积(SACVD)设备三个产品系列,已广泛应用于国内晶圆厂14nm及以上制程集成电路制造产线,并已展开10nm及以下制程产品验证测试。
2、公司是国内唯一一家产业化应用的集成电路PECVD设备厂商，已配适180-14nm逻辑芯片、19/17nmDRAM及64/128层FLASH制造工艺需求，产品能够兼容多种反应材料。
3、公司供应中芯国际、华虹集团等国内主流晶圆厂产线。公司拟投资7.5亿，用于高端半导体设备扩产项目、先进半导体设备的技术研发与改进项目、ALD设备研发与产业化项目。
（2023-04-14）

5、拓荆科技 688072：
半导体薄膜沉积设备+ PECVD
1、公司主要从事半导体薄膜沉积设备，主产品包括等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备、原子层沉积(ALD)设备和次常压化学气相沉积(SACVD)设备三个产品系列,已广泛应用于国内晶圆厂14nm及以上制程集成电路制造产线,并已展开10nm及以下制程产品验证测试。
2、公司是国内唯一一家产业化应用的集成电路PECVD设备厂商，已配适180-14nm逻辑芯片、19/17nmDRAM及64/128层FLASH制造工艺需求，产品能够兼容多种反应材料。
3、公司供应中芯国际、华虹集团等国内主流晶圆厂产线。公司拟投资7.5亿，用于高端半导体设备扩产项目、先进半导体设备的技术研发与改进项目、ALD设备研发与产业化项目。
（2023-04-07）

6、拓荆科技 688072：
半导体薄膜沉积设备+ PECVD
1、公司主要从事半导体薄膜沉积设备，主产品包括等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备、原子层沉积(ALD)设备和次常压化学气相沉积(SACVD)设备三个产品系列,已广泛应用于国内晶圆厂14nm及以上制程集成电路制造产线,并已展开10nm及以下制程产品验证测试。
2、公司是国内唯一一家产业化应用的集成电路PECVD设备厂商，已配适180-14nm逻辑芯片、19/17nmDRAM及64/128层FLASH制造工艺需求，产品能够兼容多种反应材料。
3、公司供应中芯国际、华虹集团等国内主流晶圆厂产线。公司拟投资7.5亿，用于高端半导体设备扩产项目、先进半导体设备的技术研发与改进项目、ALD设备研发与产业化项目。
（2023-04-06）

7、拓荆科技 688072：
半导体薄膜沉积设备+ PECVD
1、公司主要从事半导体薄膜沉积设备，主产品包括等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备、原子层沉积(ALD)设备和次常压化学气相沉积(SACVD)设备三个产品系列,已广泛应用于国内晶圆厂14nm及以上制程集成电路制造产线,并已展开10nm及以下制程产品验证测试。
2、公司是国内唯一一家产业化应用的集成电路PECVD设备厂商，已配适180-14nm逻辑芯片、19/17nmDRAM及64/128层FLASH制造工艺需求，产品能够兼容多种反应材料。
3、公司供应中芯国际、华虹集团等国内主流晶圆厂产线。公司拟投资7.5亿，用于高端半导体设备扩产项目、先进半导体设备的技术研发与改进项目、ALD设备研发与产业化项目。
（2023-03-29）

8、拓荆科技 688072：
半导体薄膜沉积设备+ PECVD+次新股
1、公司主要从事半导体薄膜沉积设备，主产品包括等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备（占比91%）、原子层沉积(ALD)设备（占比4%）和次常压化学气相沉积(SACVD)设备（占比6%）三个产品系列,已广泛应用于国内晶圆厂14nm及以上制程集成电路制造产线,并已展开10nm及以下制程产品验证测试。
2、公司是国内唯一一家产业化应用的集成电路PECVD设备厂商，已配适180-14nm逻辑芯片、19/17nmDRAM及64/128层FLASH制造工艺需求，产品能够兼容多种反应材料。
3、公司凭借先进的自研产品，广泛供应中芯国际、华虹集团等国内主流晶圆厂产线，打破国际厂商对国内市场的垄断，与国际寡头直接竞争。公司拟投资7.5亿，用于高端半导体设备扩产项目、先进半导体设备的技术研发与改进项目、ALD设备研发与产业化项目。（详细解析请查阅，22年4月20日异动解析）
（2022-10-20）

9、拓荆科技 688072：
半导体薄膜沉积设备+ PECVD+次新股
1、公司主要从事半导体薄膜沉积设备，主产品包括等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备（占比91%）、原子层沉积(ALD)设备（占比4%）和次常压化学气相沉积(SACVD)设备（占比6%）三个产品系列,已广泛应用于国内晶圆厂14nm及以上制程集成电路制造产线,并已展开10nm及以下制程产品验证测试。
2、公司是国内唯一一家产业化应用的集成电路PECVD设备厂商，已配适180-14nm逻辑芯片、19/17nmDRAM及64/128层FLASH制造工艺需求，产品能够兼容多种反应材料。
3、公司凭借先进的自研产品，广泛供应中芯国际、华虹集团等国内主流晶圆厂产线，打破国际厂商对国内市场的垄断，与国际寡头直接竞争。公司拟投资7.5亿，用于高端半导体设备扩产项目、先进半导体设备的技术研发与改进项目、ALD设备研发与产业化项目。（详细解析请查阅，22年4月20日异动解析）
（2022-10-17）

10、拓荆科技 688072：
半导体薄膜沉积设备+ PECVD+次新股
1、公司主要从事半导体薄膜沉积设备，主产品包括等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备（占比91%）、原子层沉积(ALD)设备（占比4%）和次常压化学气相沉积(SACVD)设备（占比6%）三个产品系列,已广泛应用于国内晶圆厂14nm及以上制程集成电路制造产线,并已展开10nm及以下制程产品验证测试。
2、公司是国内唯一一家产业化应用的集成电路PECVD设备厂商，已配适180-14nm逻辑芯片、19/17nmDRAM及64/128层FLASH制造工艺需求，产品能够兼容多种反应材料。
3、公司凭借先进的自研产品，广泛供应中芯国际、华虹集团等国内主流晶圆厂产线，打破国际厂商对国内市场的垄断，与国际寡头直接竞争。公司拟投资7.5亿，用于高端半导体设备扩产项目、先进半导体设备的技术研发与改进项目、ALD设备研发与产业化项目。（详细解析请查阅，22年4月20日异动解析）
（2022-10-12）

11、拓荆科技 688072：
半年报扭亏为盈+半导体薄膜沉积设备+ PECVD+次新股
1、22年8月26日晚公告，公司实现营业收入5.23亿元，同比增加364.87%；净利润约1.08亿元，同比扭亏为盈。主要原因为：国内晶圆厂扩产带动半导体设备需求增长，公司核心产品PECVD设备实现收入4.67亿元，较上年同期增长345.21%；SACVD设备实现收入0.41亿元，ALD设备实现收入0.08亿元。
2、公司主要从事半导体薄膜沉积设备，主产品包括等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备（占比91%）、原子层沉积(ALD)设备（占比4%）和次常压化学气相沉积(SACVD)设备（占比6%）三个产品系列,已广泛应用于国内晶圆厂14nm及以上制程集成电路制造产线,并已展开10nm及以下制程产品验证测试。
3、公司是国内唯一一家产业化应用的集成电路PECVD设备厂商，已配适180-14nm逻辑芯片、19/17nmDRAM及64/128层FLASH制造工艺需求，产品能够兼容多种反应材料。
4、公司凭借先进的自研产品，广泛供应中芯国际、华虹集团等国内主流晶圆厂产线，打破国际厂商对国内市场的垄断，与国际寡头直接竞争。公司拟投资7.5亿，用于高端半导体设备扩产项目、先进半导体设备的技术研发与改进项目、ALD设备研发与产业化项目。（详细解析请查阅，22年4月20日异动解析）
（2022-08-29）

12、拓荆科技 688072：
半导体薄膜沉积设备+ PECVD+科创次新股
1、公司主要从事半导体薄膜沉积设备，主产品包括等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备（占比91%）、原子层沉积(ALD)设备（占比4%）和次常压化学气相沉积(SACVD)设备（占比6%）三个产品系列,已广泛应用于国内晶圆厂14nm及以上制程集成电路制造产线,并已展开10nm及以下制程产品验证测试。
2、公司是国内唯一一家产业化应用的集成电路PECVD设备厂商，已配适180-14nm逻辑芯片、19/17nmDRAM及64/128层FLASH制造工艺需求，产品能够兼容多种反应材料。
3、公司凭借先进的自研产品，广泛供应中芯国际、华虹集团等国内主流晶圆厂产线，打破国际厂商对国内市场的垄断，与国际寡头直接竞争。
4、拟投资7.5亿，用于高端半导体设备扩产项目、先进半导体设备的技术研发与改进项目、ALD设备研发与产业化项目。（详细解析请查阅，22年4月20日异动解析）
（2022-07-15）

13、拓荆科技 688072：
半导体薄膜沉积设备+ PECVD+次新股
1、公司主要从事半导体薄膜沉积设备，主产品包括等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备（占比91%）、原子层沉积(ALD)设备（占比4%）和次常压化学气相沉积(SACVD)设备（占比6%）三个产品系列,已广泛应用于国内晶圆厂14nm及以上制程集成电路制造产线,并已展开10nm及以下制程产品验证测试。
2、公司是国内唯一一家产业化应用的集成电路PECVD设备厂商，已配适180-14nm逻辑芯片、19/17nmDRAM及64/128层FLASH制造工艺需求，产品能够兼容多种反应材料。
3、公司凭借先进的自研产品，广泛供应中芯国际、华虹集团等国内主流晶圆厂产线，打破国际厂商对国内市场的垄断，与国际寡头直接竞争。
4、拟投资7.5亿，用于高端半导体设备扩产项目、先进半导体设备的技术研发与改进项目、ALD设备研发与产业化项目。（详细解析请查阅，22年4月20日异动解析）
（2022-07-06）

14、拓荆科技 688072：
半导体薄膜沉积设备+ PECVD+次新股
1、公司主要从事半导体薄膜沉积设备，主产品包括等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备（占比91%）、原子层沉积(ALD)设备（占比4%）和次常压化学气相沉积(SACVD)设备（占比6%）三个产品系列,已广泛应用于国内晶圆厂14nm及以上制程集成电路制造产线,并已展开10nm及以下制程产品验证测试。
2、公司是国内唯一一家产业化应用的集成电路PECVD设备厂商，已配适180-14nm逻辑芯片、19/17nmDRAM及64/128层FLASH制造工艺需求，产品能够兼容多种反应材料。
3、公司凭借先进的自研产品，广泛供应中芯国际、华虹集团等国内主流晶圆厂产线，打破国际厂商对国内市场的垄断，与国际寡头直接竞争。
4、拟投资7.5亿，用于高端半导体设备扩产项目、先进半导体设备的技术研发与改进项目、ALD设备研发与产业化项目。
5、公司预计2022年Q1收入为1至1.2亿元，同比变动幅度为73.19%至107.82%；归母净利润为-2,000至-700万元，变动金额为-967至333万元；（详细解析请查阅，22年4月20日异动解析）
（2022-05-12）

15、拓荆科技 688072：
半导体薄膜沉积设备+ PECVD+次新股
1、公司主要从事半导体薄膜沉积设备，主产品包括等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备（占比91%）、原子层沉积(ALD)设备（占比4%）和次常压化学气相沉积(SACVD)设备（占比6%）三个产品系列,已广泛应用于国内晶圆厂14nm及以上制程集成电路制造产线,并已展开10nm及以下制程产品验证测试。
2、公司是国内唯一一家产业化应用的集成电路PECVD设备厂商，已配适180-14nm逻辑芯片、19/17nmDRAM及64/128层FLASH制造工艺需求，产品能够兼容多种反应材料。
3、公司凭借先进的自研产品，广泛供应中芯国际、华虹集团等国内主流晶圆厂产线，打破国际厂商对国内市场的垄断，与国际寡头直接竞争。
4、拟投资7.5亿，用于高端半导体设备扩产项目、先进半导体设备的技术研发与改进项目、ALD设备研发与产业化项目。
5、公司预计2022年Q1收入为1至1.2亿元，同比变动幅度为73.19%至107.82%；归母净利润为-2,000至-700万元，变动金额为-967至333万元；（详细解析请查阅，22年4月20日异动解析）
（2022-05-10）

16、拓荆科技 688072：
半导体薄膜沉积设备+ PECVD+次新股
1、公司主要从事半导体薄膜沉积设备，主产品包括等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备（占比91%）、原子层沉积(ALD)设备（占比4%）和次常压化学气相沉积(SACVD)设备（占比6%）三个产品系列,已广泛应用于国内晶圆厂14nm及以上制程集成电路制造产线,并已展开10nm及以下制程产品验证测试。
2、公司是国内唯一一家产业化应用的集成电路PECVD设备厂商，已配适180-14nm逻辑芯片、19/17nmDRAM及64/128层FLASH制造工艺需求，产品能够兼容多种反应材料。
3、公司凭借先进的自研产品，广泛供应中芯国际、华虹集团等国内主流晶圆厂产线，打破国际厂商对国内市场的垄断，与国际寡头直接竞争。
4、拟投资7.5亿，用于高端半导体设备扩产项目、先进半导体设备的技术研发与改进项目、ALD设备研发与产业化项目。
5、公司预计2022年Q1收入为1至1.2亿元，同比变动幅度为73.19%至107.82%；归母净利润为-2,000至-700万元，变动金额为-967至333万元；（详细解析请查阅，22年4月20日异动解析）
（2022-04-27）

17、拓荆科技 688072：
半导体薄膜沉积设备+ PECVD+次新股
1、公司主要从事半导体薄膜沉积设备，主产品包括等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备（占比91%）、原子层沉积(ALD)设备（占比4%）和次常压化学气相沉积(SACVD)设备（占比6%）三个产品系列,已广泛应用于国内晶圆厂14nm及以上制程集成电路制造产线,并已展开10nm及以下制程产品验证测试。
2、公司是国内唯一一家产业化应用的集成电路PECVD设备厂商，已配适180-14nm逻辑芯片、19/17nmDRAM及64/128层FLASH制造工艺需求，产品能够兼容SiO2、SiN、SiON、BPSG、PSG、TEOS、LokI、LokII、ACHM、ADCI等多种反应材料。
3、公司产品已广泛用于中芯国际、华虹集团、长江存储、长鑫存储、厦门联芯、燕东微电子等国内主流晶圆厂产线，打破国际厂商对国内市场的垄断，与国际寡头直接竞争。
4、拟投资7.5亿，用于高端半导体设备扩产项目、先进半导体设备的技术研发与改进项目、ALD设备研发与产业化项目；
5、公司预计2022年Q1收入为1至1.2亿元，同比变动幅度为73.19%至107.82%；归母净利润为-2,000至-700万元，变动金额为-967至333万元；（详细解析请查阅，22年4月20日异动解析）
（2022-04-21）

18、拓荆科技 688072：
半导体薄膜沉积设备，PECVD设备国内唯一产业化
1、主营业务：主要从事半导体薄膜沉积设备，主要产品包括等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备（占比91%）、原子层沉积(ALD)设备（占比4%）和次常压化学气相沉积(SACVD)设备（占比6%）三个产品系列,已广泛应用于国内晶圆厂14nm及以上制程集成电路制造产线,并已展开10nm及以下制程产品验证测试。
2、核心看点：
1）公司产品已广泛用于中芯国际、华虹集团、长江存储、长鑫存储、厦门联芯、燕东微电子等国内主流晶圆厂产线，打破国际厂商对国内市场的垄断，与国际寡头直接竞争。
2）PECVD设备系公司核心产品，是芯片制造的核心设备之一。主要功能是在将硅片控制到预定温度后，使用射频电磁波作为能量源在硅片上方形成低温等离子体，通入适当的化学气体，在等离子体的激活下，经一系列化学反应在硅片表面形成固态薄膜。
3）公司是国内唯一一家产业化应用的集成电路PECVD设备厂商，已配适180-14nm逻辑芯片、19/17nmDRAM及64/128层FLASH制造工艺需求，产品能够兼容SiO2、SiN、SiON、BPSG、PSG、TEOS、LokI、LokII、ACHM、ADCI等多种反应材料。公司已于2018年向国际领先晶圆厂发货一台PECVD设备用于其先进逻辑芯片制造研发产线，2020年该厂向公司增订了一台PECVD设备用于其上述先进制程试产线。
3、行业分析：
1）市场规模：
1）根据Maximize Market Research数据统计，2020全球半导体薄膜沉积设备市场规模为172亿美元。
新建晶圆厂设备投资中，晶圆制造相关设备投资额占比约为总体设备投资的80%，薄膜沉积设备作为晶圆制造的三大主设备之一，其投资规模占晶圆制造设备总投资的25%。
2）根据国内半导体设备市场占全球市场26.29%的比例测算，2020年国内薄膜沉积设备市场规模约为45.22亿美元。PECVD和ALD分别占薄膜沉积设备市场比例为33%和11%，2020年国内市场PECVD市场规模约为14.92亿美元，ALD市场规模约为4.97亿美元。
2）下游应用场景数据：
在前道晶圆制造中，共有七大工艺步骤，分别为氧化/扩散、光刻、刻蚀、薄膜生长、离子注入、清洗与抛光、金属化，所对应的设备主要包括氧化/扩散设备、光刻设备、刻蚀设备、薄膜沉积设备、离子注入设备、清洗设备、机械抛光设备等，其中光刻设备、刻蚀设备、薄膜沉积设备是集成电路前道生产工艺中的三大核心设备；
3）格局：全球半导体薄膜沉积设备市场高度集中，目前呈现国外供应商寡头格局，行业基本由应用材料(AMAT)、ASMI、泛林半导体(Lam)、东京电子(TEL)等 国际巨头垄断；
4、竞争对手：在薄膜沉积设备领域，目前主要竞争对手为美国的应用材料(AMAT)、美国的泛林半导体(Lam)、日本的东京电子(TEL)、荷兰的先晶半导体(ASMI)；
5、主要募投项目：公司实际募集资金总额21.28亿元。拟投资7.5亿，用于高端半导体设备扩产项目、先进半导体设备的技术研发与改进项目、ALD设备研发与产业化项目；
6、数据一览：
（1）2019-2021年，公司营业收入分别为2.51、4.36、7.58亿元，复合增长率为74%;归母净利润分别为-0.19、-0.11、0.68亿元。2019-2021年公司毛利率分别为31.85%、34.06%、44.01%。发行价格71.88元/股，行业PE50.5，发行流通市值18.81亿，总市值90.91亿。
（2）公司预计2022年Q1收入为1至1.2亿元，同比变动幅度为73.19%至107.82%；归母净利润为-2,000至-700万元，变动金额为-967至333万元；（资料来自公司官网、招股说明书）
（2022-04-20）