中高端产品发力 华灿光电加码第三代半导体材料
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中高端产品发力 华灿光电加码第三代半导体材料
2022-10-24 19:27:00
第三代半导体市场尤其是GaN电力电子器件将成为华灿光电的重点发力的细分产品。
针对MicroLED常规产品的市场开拓，华灿光电股份有限公司(以下简称“华灿光电”，300323.SZ)呈现新进展。
10月24日，21世纪经济报道记者获悉，华灿光电对外公布，公司生产的MicroLED常规产品已持续小批量供应国内外企业，性能和良率稳步提升，满足客户阶段性系统验证要求。此外，GaN电力电子器件外延片已达国内先进水平，芯片相关工艺完成阶段性开发，预计今年底可完成几款650V产品出样，预计2023年将投放市场。
按照华灿光电的规划，除了实现MicroLED/MiniLED的开发和产业化量产外，第三代半导体市场尤其是GaN电力电子器件将成为华灿光电的重点发力的细分产品。
加码高附加值产品
华灿光电是LED芯片及先进半导体解决方案供应商，主要产品为LED芯片及外延片产品、蓝宝石材料产品及GaN电力电子器件产品。
在显示技术上，Mini/MicroLED被认为是未来LED显示技术的发展方向。华灿光电对投资者表示，MiniLED和MicroLED很大程度上会是共存，二者的应用领域更多地取决于LED产品间距大小，在一些产品上，可能会存在较小区域的交叠。
早在2020年，华灿光电就已实现MiniLED量产销售，Mini/Micro芯片已批量供应品牌客户，同年8月，群创全球首发了55寸可卷曲AMMiniLED显示器，华灿是唯一的芯片供应商，而所用的产品是MiniRGBLED背光芯片。彼时这块业务就成了公司重点发展的方向之一，直至2021年上半年，公司募投的Mini/Micro项目已经完成50%扩产计划。
目前来看，华灿光电正逐渐实施产品结构转型。2022年半年报显示，华灿光电上半年营收12.83亿元，同比减少19.53%；归属于上市公司股东的净利润1143.64万元，同比增长144.98%。值得注意的是，此次公司整体营业收入下滑主要原因是公司的产品结构变化，按照产品来看，在低端传统业务LED照明产品上收入占比降低，与之相反的是在新的产品线上，例如植物照明、新型车用照明灯等高附加值产品收入占比进一步提升，并持续增长。华灿光电表示，MicroLED、植物照明、新型车用照明灯等领域将会成为华灿光电的全新增长点，化合物半导体市场随着新能源行业发展，公司也确定其未来的增长性。
同行业的三安光电(600703.SH)在LED业务上也与华灿光电有着类似情况：高端产品的占比将进一步提高。根据其2022的半年报来看Mini/MicroLED、植物照明、车用照明、紫外、红外等LED高端领域业务规模进一步提升，收入较上年同期增长84.80%。中商产业研究院的一份研报中指出，三安光电在LED芯片行业布局更早，并在近几年的发展当中，成为我国LED芯片行业的龙头。2021年，三安光电、华灿光电两家企业分别占据中国LED芯片产能的31.7%、14.3%，产能占比将近市场的一半。
拓展第三代半导体材料新赛道
当下，在技术的不断驱动下，新能源领域已经从电力高端装备的制造转向新材料的研发及革新。LED芯片技术作为华灿光电的核心优势技术，使其在LED市场的布局较为完善，与此同时，华灿光电也在开辟第三代半导体材料新赛道，特别是GaN电力电子器件。
GaN电力电子器件作为华灿光电在化合物的半导体业务中首先布局的产品方向，有望助推华灿光电在国内市场占据优势地位。华灿光电称，GaN电力电子器件与公司的核心技术优势LED芯片技术虽有部分相通性，但技术方面尚存差异。目前团队已攻克相关技术及工艺难点，在多项关键工艺的单项试验已获突破性进展。
第三代半导体材料为碳化硅SiC、氮化镓GaN、氧化锌ZnO等，其中以碳化硅SiC、氮化镓GaN为代表，可应用在更高阶的高压功率元件以及高频通讯元件领域。华灿光电证券部对投资者表示称，“公司目前主要聚焦的是GaN材料，碳化硅SiC等化合物也有涉及，目前正处于研发工作当中”。
在光电子领域和微波器件方面氮化镓GaN性能最出色。天风证券分析师潘暕指出，GaNFET在汽车和工业领域独具优势，有利于减少碳排放；GaN功率器件在数据中心的应用可大幅降低数据中心的能耗，减少30-40%的能源浪费。
据CASA公布的数据显示，早在2020年，我国第三代半导体整体产值超过7100亿。其中，半导体照明整体产值预计7013亿元，受新冠肺炎疫情影响下，较2019年下降7.1%；SiC、GaN电力电子产值规模达44.7亿元，同比增长54%；GaN微波射频产值达到60.8亿元，同比增长80.3%。
华安证券分析师胡杨在其研报中指出，从渗透率角度来看，第三代半导体材料渗透率逐年提升，2023年有望接近5%。Si仍是半导体材料主流，占比95%。第三代半导体渗透率逐年上升，SiC渗透率在2023年有望达到3.75%，GaN渗透率在2023年达到1.0%，第三代半导体渗透率总计4.75%。
华灿光电作为化合物光电半导体材料领域的企业，已有GaN外延及芯片研发制造经验。早在2020年，华灿光电非公开发行募资15亿元，约12亿元将被投向Mini/MicroLED的研发与制造项目，约3亿元将投向GaN基电力电子器件的研发与制造项目，为公司发展第三代半导体业务打下基础。
近几年，华灿光电的GaN电力电子器件外延片进展顺利的同时，GaN基电力电子器件的生产制造项目暂未启动。公司表示，公司自有生产线仍在建设当中，预计2022年第四季度可完成650V产品出样。当形成完整的业务产业链后，将会推动GaN功率器件的大规模产业化，未来第三代半导体行业在技术和产品创新方面也将不断迎来突破。
（文章来源：21世纪经济报道）
针对MicroLED常规产品的市场开拓，华灿光电股份有限公司(以下简称“华灿光电”，300323.SZ)呈现新进展。
10月24日，21世纪经济报道记者获悉，华灿光电对外公布，公司生产的MicroLED常规产品已持续小批量供应国内外企业，性能和良率稳步提升，满足客户阶段性系统验证要求。此外，GaN电力电子器件外延片已达国内先进水平，芯片相关工艺完成阶段性开发，预计今年底可完成几款650V产品出样，预计2023年将投放市场。
按照华灿光电的规划，除了实现MicroLED/MiniLED的开发和产业化量产外，第三代半导体市场尤其是GaN电力电子器件将成为华灿光电的重点发力的细分产品。
加码高附加值产品
华灿光电是LED芯片及先进半导体解决方案供应商，主要产品为LED芯片及外延片产品、蓝宝石材料产品及GaN电力电子器件产品。
在显示技术上，Mini/MicroLED被认为是未来LED显示技术的发展方向。华灿光电对投资者表示，MiniLED和MicroLED很大程度上会是共存，二者的应用领域更多地取决于LED产品间距大小，在一些产品上，可能会存在较小区域的交叠。
早在2020年，华灿光电就已实现MiniLED量产销售，Mini/Micro芯片已批量供应品牌客户，同年8月，群创全球首发了55寸可卷曲AMMiniLED显示器，华灿是唯一的芯片供应商，而所用的产品是MiniRGBLED背光芯片。彼时这块业务就成了公司重点发展的方向之一，直至2021年上半年，公司募投的Mini/Micro项目已经完成50%扩产计划。
目前来看，华灿光电正逐渐实施产品结构转型。2022年半年报显示，华灿光电上半年营收12.83亿元，同比减少19.53%；归属于上市公司股东的净利润1143.64万元，同比增长144.98%。值得注意的是，此次公司整体营业收入下滑主要原因是公司的产品结构变化，按照产品来看，在低端传统业务LED照明产品上收入占比降低，与之相反的是在新的产品线上，例如植物照明、新型车用照明灯等高附加值产品收入占比进一步提升，并持续增长。华灿光电表示，MicroLED、植物照明、新型车用照明灯等领域将会成为华灿光电的全新增长点，化合物半导体市场随着新能源行业发展，公司也确定其未来的增长性。
同行业的三安光电(600703.SH)在LED业务上也与华灿光电有着类似情况：高端产品的占比将进一步提高。根据其2022的半年报来看Mini/MicroLED、植物照明、车用照明、紫外、红外等LED高端领域业务规模进一步提升，收入较上年同期增长84.80%。中商产业研究院的一份研报中指出，三安光电在LED芯片行业布局更早，并在近几年的发展当中，成为我国LED芯片行业的龙头。2021年，三安光电、华灿光电两家企业分别占据中国LED芯片产能的31.7%、14.3%，产能占比将近市场的一半。
拓展第三代半导体材料新赛道
当下，在技术的不断驱动下，新能源领域已经从电力高端装备的制造转向新材料的研发及革新。LED芯片技术作为华灿光电的核心优势技术，使其在LED市场的布局较为完善，与此同时，华灿光电也在开辟第三代半导体材料新赛道，特别是GaN电力电子器件。
GaN电力电子器件作为华灿光电在化合物的半导体业务中首先布局的产品方向，有望助推华灿光电在国内市场占据优势地位。华灿光电称，GaN电力电子器件与公司的核心技术优势LED芯片技术虽有部分相通性，但技术方面尚存差异。目前团队已攻克相关技术及工艺难点，在多项关键工艺的单项试验已获突破性进展。
第三代半导体材料为碳化硅SiC、氮化镓GaN、氧化锌ZnO等，其中以碳化硅SiC、氮化镓GaN为代表，可应用在更高阶的高压功率元件以及高频通讯元件领域。华灿光电证券部对投资者表示称，“公司目前主要聚焦的是GaN材料，碳化硅SiC等化合物也有涉及，目前正处于研发工作当中”。
在光电子领域和微波器件方面氮化镓GaN性能最出色。天风证券分析师潘暕指出，GaNFET在汽车和工业领域独具优势，有利于减少碳排放；GaN功率器件在数据中心的应用可大幅降低数据中心的能耗，减少30-40%的能源浪费。
据CASA公布的数据显示，早在2020年，我国第三代半导体整体产值超过7100亿。其中，半导体照明整体产值预计7013亿元，受新冠肺炎疫情影响下，较2019年下降7.1%；SiC、GaN电力电子产值规模达44.7亿元，同比增长54%；GaN微波射频产值达到60.8亿元，同比增长80.3%。
华安证券分析师胡杨在其研报中指出，从渗透率角度来看，第三代半导体材料渗透率逐年提升，2023年有望接近5%。Si仍是半导体材料主流，占比95%。第三代半导体渗透率逐年上升，SiC渗透率在2023年有望达到3.75%，GaN渗透率在2023年达到1.0%，第三代半导体渗透率总计4.75%。
华灿光电作为化合物光电半导体材料领域的企业，已有GaN外延及芯片研发制造经验。早在2020年，华灿光电非公开发行募资15亿元，约12亿元将被投向Mini/MicroLED的研发与制造项目，约3亿元将投向GaN基电力电子器件的研发与制造项目，为公司发展第三代半导体业务打下基础。
近几年，华灿光电的GaN电力电子器件外延片进展顺利的同时，GaN基电力电子器件的生产制造项目暂未启动。公司表示，公司自有生产线仍在建设当中，预计2022年第四季度可完成650V产品出样。当形成完整的业务产业链后，将会推动GaN功率器件的大规模产业化，未来第三代半导体行业在技术和产品创新方面也将不断迎来突破。
（文章来源：21世纪经济报道）
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