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SK海力士开发出12层堆叠HBM3 DRAM芯片 已向客户提供样品
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SK海力士开发出12层堆叠HBM3 DRAM芯片 已向客户提供样品
2023-04-20 08:58:00
4月20日,SK海力士官网宣布,再次超越了现有最高性能DRAM(内存)——HBM31的技术界限,全球首次实现垂直堆叠12个单品DRAM芯片,成功开发出最高容量24GB的HBM3 DRAM新产品,并正在接受客户公司的性能验证。
(文章来源:界面新闻)
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