英伟达在洛杉矶举行的Siggraph大会上表示，图形芯片和处理器相结合的Grace Hopper超级芯片将从一种新型内存中获益。该产品依赖于高带宽存储器3（即HBM3e），后者能够以每秒钟高达5TB的速度访问信息。英伟达表示，这款名为GH200的超级芯片将于2024年第二季度投产。
　　根据TrendForce集邦咨询调查显示，为顺应AI加速器芯片需求演进，各原厂计划于2024年推出新产品HBM3e，预期HBM3与HBM3e将成为明年市场主流。HBM3e将由24Gb mono die堆栈，在8层（8Hi）的基础下，单颗HBM3e容量将一口气提升至24GB。除了英伟达外，Google与AWS正着手研发次世代自研AI加速芯片，将采用HBM3或HBM3e。
　　据财联社主题库显示，相关上市公司中：
　　雅克科技子公司UP Chemical是韩国存储芯片龙头SK海力士核心供应商，供应海力士HBM前驱体。
　　联瑞新材公司表示，对HBM封装高度提升、散热需求大的问题，颗粒封装材料（GMC）中就需要添加球硅和球铝，公司部分客户是GMC供应商。
（文章来源：财联社）