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三星计划明年生产第9代V-NAND闪存 沿用双层堆栈架构
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三星计划明年生产第9代V-NAND闪存 沿用双层堆栈架构
2023-08-18 14:29:00
三星电子计划明年生产第9代V-NAND闪存,将沿用双层堆栈架构,超过300层。报道称,这将使三星的进度超过SK海力士,后者计划2025年上半年量产三层堆栈架构的321层NAND闪存。
(文章来源:财联社)
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