近日，第十二届中国知识产权年会在山东济南开幕。天岳先进董事长宗艳民作为开幕式主旨演讲嘉宾参加本次大会，并在开幕式上发表题为“自主创新推动关键材料国产化，知识产权护航广阔蓝海市场”的主旨演讲。另外，国家知识产权局党组书记、局长申长雨等一行还到山东天岳先进科技股份有限公司调研，对天岳先进在科技创新和知识产权综合运用等方面取得的成绩给予充分肯定。

　　宗艳民结合天岳先进发展历程中的技术创新和知识产权保护，阐述了坚持自主创新研发、重视知识产权布局的重要性，并介绍了碳化硅衬底材料在“新基建”“双碳目标”以及推动数字经济背景下的广阔应用。他表示，天岳先进将坚定不移的贯彻知识产权战略，努力将知识产权打造成公司核心竞争力之一。未来，中国制造的碳化硅半导体材料，将继续走出国门，成为“中国制造”在国际市场的一张亮丽名片。
　　天岳先进是国内碳化硅半导体材料龙头企业，是少数几家在国际上具有知名度的碳化硅衬底制造企业。近年来，天岳先进始终坚持自主创新，重视专利布局，自主攻克了碳化硅晶体生长、衬底加工等一系列国际难题，掌握碳化硅衬底材料产业化核心关键技术，获得国家科技进步一等奖。截至目前，天岳先进已在碳化硅衬底领域取得国内专利494项，填补了我国在碳化硅衬底领域的知识产权空白，在碳化硅领域知识产权数量位列全国首位。同时，专利布局涵盖碳化硅制备的全工艺环节，其中海外专利13项，覆盖欧洲、日本、韩国以及我国台湾地区。公司目前已经掌握了世界最大尺寸8英寸碳化硅衬底的制备技术，实现从2英寸衬底到8英寸衬底的量产，而且是国际上少数在半绝缘碳化硅衬底和导电型碳化硅衬底领域同时具有知名度企业。
　　另外，天岳先进导电型衬底大规模产能建设步伐突飞猛进。2023年5月，上海临港工厂迎来首批产品交付。在半导体领域，短短一年时间，天岳先进的导电型碳化硅衬底产能已经大规模量产并仍在加快提升产能，公司已经成为少数产品能够大规模“出海”的企业。（朱剑平）
（文章来源：上海证券报·中国证券网）