9月25日，拓荆科技董事长吕光泉在公司2023年半年度业绩说明会上回复投资者提问时表示，公司一直在半导体高端薄膜沉积设备领域深耕，坚持自主创新，持续保持高强度的研发投入，不断优化设备产品的性能。
　　吕光泉称，公司持续提升现有量产产品的核心竞争力，同时，结合半导体行业的技术发展趋势及客户需求，提前布局开发新产品或新工艺，加速推进验证进度。目前PECVD（等离子体增强化学气相沉积）设备已实现规模量产，ALD（原子层沉积）、SACVD（次常压化学气相沉积）、HDPCVD（高密度等离子体化学气相沉积）系列产品已实现产业化，未来将持续提升产品性能，扩大量产规模，为客户提供高质量的产品，获得客户的认可。
　　拓荆科技主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售与技术服务。自成立以来，公司始终坚持自主研发，目前已形成PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD等薄膜设备产品系列，广泛应用于国内集成电路逻辑芯片、存储芯片等制造产线。此外，公司还推出了应用于晶圆级三维集成领域的混合键合设备产品系列。
　　通过较高强度的持续研发投入，拓荆科技也一直保持着细分领域内产品技术的领先优势。公开披露数据，今年上半年，公司研发投入2.1亿元，同比增长78.77%，在公司营业收入中的占比高达20.93%。同时，公司还不断丰富设备产品品类，拓宽薄膜工艺应用覆盖面，在现有产品产业化应用、新产品及新工艺研发验证等方面均取得了突破性进展。
　　高水平研发投入所带来的产品竞争力提升，叠加下游晶圆制造厂产能增长带来的旺盛需求，拓荆科技销售订单饱满，营收、利润均呈现较快增长态势。公司前期披露的半年报数据显示，今年上半年，公司实现营业收入10.04亿元，同比增长91.83%；实现归母净利润1.25亿元，同比增长15.22%；实现扣非归母净利润6518.25万元，同比增长32.65%。营业收入快速增长，盈利能力持续增强。
（文章来源：证券日报）