据三星半导体官网10月10日发布的文章，三星电子副社长、DRAM产品与技术团队负责人黄尚俊表示，预计公司将在2025年前推出新一代内存HBM4。三星电子正开发针对高温热特性优化的非导电粘合膜（NCF）组装技与混合键合（HCB）等技术，以应用于HBM4产品。
　　黄尚俊透露，三星电子已开发出9.8Gbps的HBM3E，计划开始向客户提供样品。
（文章来源：界面新闻）