在“双碳”战略和新能源浪潮带动下，储能市场迎来高速发展，其中户用储能逐渐成为重要分支，并在2022年一度出现爆发性增长，而2023年以来，储能市场增速有所放缓。
　　“预计今年户用储能还会继续保持良好的稳健增长，但是很难回到2022年近似疯狂的增长状态。”在日前出席第11届EEVIA年度中国硬科技媒体论坛上，英飞凌电源与传感系统事业部应用管理高级经理徐斌回复记者提问时表示。
　　援引IHS统计，近十年储能市场实现30.9%的CAGR增长，其中2022年增长超过50%，并且在很多市场都实现了两三倍的增长；不过，今年上半年，从上市公司财报数据来看，储能市场热度有所衰减。
　　在徐斌看来，2022年受战争影响，带动能源价格上涨，叠加整个经济环境影响，导致户用储能增长，但也难以复制。
　　另外，市场库存消化需要一定时间。据统计，2022年装机需求大约在14000兆瓦，但实际出货量可能接近18000兆瓦，因此去年约有4000兆瓦库存积压，意味着储能逆变器或者储能系统安装商还有很多库存。
　　徐斌预计，大概需要三或六个月时间库存消耗完后，户用储能还会朝着良性的趋势发展；另一方面，欧美市场非常缺乏有资质和经验的光伏组件和储能一体化系统安装商，导致在安装渠道出现了一定的库存积压。
　　徐斌进一步指出，考虑双碳指标以及能源价格回落幅度，储能市场预计会继续保持增长，以及电网或者极端天气的影响，储能需求依旧存在。只不过今年碳能源下降，储能投资回报周期拉长了，长期来看储能系统还是非常经济的投资渠道。
　　随着新能源汽车的爆发，充电与储能、光伏系统更密切搭配，逐步形成当下光储充一体系统发展态势，并且需要突破和完善相关软件和能源管理。
　　“未来光伏户用储能系统的效率和功率密度是最制约未来产品竞争力的重要因素。”徐斌表示，光伏储能电池的容量，储能系统的体积大小，储能系统的重量，以及储能系统的成本等都与能源转换效率相关，也直接影响着成本。
　　另外，户用储能体积受限，通常需要通过自然冷却散热，对半导体元器件要求很高，因此英飞凌推荐使用SiC MOS。作为第三代半导体，SiC Mos在户用储能中可以提升转换效率和功率密度，可扩产性强。
　　目前英飞凌是全球仅有少数几家能同时做到硅MOS、IGBT和SiC MOS三种半导体的公司，从硅的MOS和IGBT到碳化硅650V到1200V的MOS、包括GaN的产品，提供一站式的解决方案。具体来看，徐斌表示，在低压、功率比较小、开关频率比较快的领域，英飞凌更推荐使用GaN器件，而在开关频率不太高，但功率等级比较高的领域，推荐使用碳化硅的器件。
（文章来源：证券时报网）