东芯股份近期接受投资者调研时称，SLCNAND方面，公司基于2xnm制程上持续开发新产品，不断扩充SLCNAND Flash产品线及料号，先进制程的1xnmSLCNAND Flash产品已完成晶圆制造及功能性验证，正在进行晶圆测试及工艺调整工作。关于NOR Flash，一方面公司在48nm制程上持续进行更高容量的新产品开发，另一方面，公司55nm制程产线的各项新产品也陆续进入研发设计、晶圆制造、样片验证等各个阶段。公司将持续完善NOR Flash产品线，为客户提供中高容量、高可靠性的NORFlash产品。DRAM产品方面，公司将不断丰富DRAM自研产品组合，提高产品市场竞争力。自主研发的LPDDR4x产品正在积极送样验证的过程中。关于车规产品，目前公司的SLCNAND Flash及NOR Flash均有产品通过AEC-Q100的测试，公司将继续在严苛的车规级应用环境标准下开发新的高可靠性产品，扩大车规级产品线的丰富度。

（文章来源：界面新闻）