有投资者在投资者互动平台提问：贵司碳化硅SiC沟槽栅MOSFET关键的沟槽结构技术、沟槽刻蚀技术和沟槽栅氧技术的研究进展如何？对未来新型沟槽技术发展趋势进行展望。 以株洲中车时代半导体有限公司为代表，开发了周期性栅氧电场屏蔽技术，在三维方向形成对栅氧化层直接与间接的屏蔽[106]，实现了3.0 mΩcm2的比导通电阻、1 400 V的阻断电压芯片样品的制备，未来该产品前景展望一下。
　　时代电气（688187.SH）12月4日在投资者互动平台表示，我们当前量产产品的技术还是基于平面栅技术的发展和升级，已达到当前市场主流水平。
（文章来源：每日经济新闻）