证券日报网讯 12月26日晚间，协昌科技发布公告称，公司近日获得国家知识产权局授予的两项发明专利证书。第一项发明专利为“一种低功耗屏蔽栅型半导体功率器件及其制备方法”，专利号为ZL201910376360.4，申请日为2019年05月07日，授权公告日为2023年12月19日，专利权期限为二十年。第二项发明专利为“一种低栅极内阻屏蔽栅沟槽MOSFET”，专利号为ZL202310916422.2，申请日为2023年07月25日，授权公告日为2023年12月19日，专利权期限同样为二十年。

（文章来源：证券日报）