五位知情人士透露，随着芯片制造竞赛升级，三星电子计划采用竞争对手SK海力士使用的MR-MUF（批量回流模制底部填充）芯片封装工艺，而非此前坚持使用的非导电薄膜（NCF）技术。三位直接知情人士称，三星最近发出了处理MR-MUF技术的设备采购订单。一位人士称，三星还在与包括日本长濑公司在内的材料制造商洽谈采购MUF材料的事宜，但使用这一技术的高端芯片最早要到明年才能实现量产。三星还表示，其内部开发的NCF技术将用于其新的HBM3E芯片。（路透社）
（文章来源：界面新闻）