在拓荆科技今日举行的2025年第三季度业绩说明会上，该公司董事长吕光泉表示，存储价格上升反映出存储芯片市场仍有较大的需求量，从中长期来看，这可能拉动存储芯片制造厂持续扩大产能。随着存储芯片制程的推进及结构趋于复杂化，对先进硬掩模和关键介质薄膜的性能要求越来越高，同时，驱动了高带宽存储器（HBM）向三维集成等方向演进，3D NAND FlASH芯片堆叠层数不断提高，这些技术发展趋势都将大幅拉动薄膜设备的需求量。“下游客户的持续扩产，预计将进一步扩大相关产品的需求量。”

（文章来源：科创板日报）