长光华芯涨停原因：
688048 长光华芯13:35科创板+芯片+人工智能-CPO+次新-近端
(2023年5月18日)发布56G PAM4 EML光通信芯片:为400G/800G超算数据中心互连光模块的核心器件+科创板+主营为半导体激光芯片及其器件.模块+全球少数具备高功率激光芯片量产能力的生产企业之一+(2022年12月27日)拟投资10亿元在太湖科学城新建先进化合物半导体光电子平台项目,预计年产值不低于6亿元+(2022年9月21日)累计获得政府补助5188万元
（更新时间：2023-05-21）

长光华芯涨停/异动原因：
光通信芯片+华为+激光雷达+光芯片
1、2024年3月15日互动表示，公司的100GEML光通信芯片已形成小批量订单。
2、此前表示公司的100EML芯片可以应用在800G的光模块上。100EML已有订单和收入。公司在光通领域处于研发验证阶段，公司只服务华为，目前导入产品包括10G的EML、探测器APD，未来随3吋线产能资源转向光通信后，逐步导入多类产品。
3、网传（未证实）公司为华为自研192线激光雷达A点供应商，华为奇瑞智界S7将搭载192线激光雷达。
4、公司是哈勃投资企业，目前在激光雷达方案布局上定位发射模组内的及光芯片，方案为VCSEL，已经完成车规，AECQ等前期验证。硅光芯片是公司规划中第五增长曲线。公司布局的蓝光芯片可应用于激光直写光刻机领域。
5、公司构建了GaAs（砷化镓）和InP（磷化铟）两大材料体系，成为半导体激光行业全球少数具备高功率激光芯片量产能力的企业之一。
（更新时间：2024-03-18）

题材要点：

要点一:发布光通信芯片
2023年7月份，公司在投资者调研报告中披露，公司发布56GPAM4EML光通信芯片，进入光芯片高端市场。公司发布的单波100Gbps(56Gbaud四电平脉冲幅度调制(PAM4))电吸收调制器激光二极管(EML)芯片，支持四个波长的粗波分复用(CWDM)，达到了使用4颗芯片实现400Gbps传输速率，或8颗芯片实现800Gbps传输速率的应用目标。另，2023年6月份，公司在异动公告中披露，针对光通信芯片，公司已建立了包含外延生长，光栅制作，条形刻蚀，端面镀膜，划片裂片，特性测试，封装筛选和芯片老化的完整工艺线，具备光通信芯片的制造能力。

要点二:高功率巴条芯片
公司高功率巴条芯片可实现连续（CW）50-250W激光输出，准连续脉冲（QCW）500-1000W激光输出，电光转换效率63%以上，波长包含808，940nm，广泛应用于固态激光器泵浦源，服务于多家国家级骨干单位。在100μm条宽附近，公司高功率巴条芯片可实现100W连续激光输出及300W准连续激光输出，在200μm条宽附近，公司高功率巴条芯片可实现200W连续激光输出及700W准连续激光输出，电光转换效率最大可达63%，公司高功率巴条芯片可实现功率及电光转换效率较高，技术水平较高。2020年，公司高功率巴条芯片产品通过德国著名半导体激光器生产商Jenoptik AG（德国上市公司，股票代码JENGn）的认证并开始批量出口。

要点三:进军可见光领域
公司进军可见光领域，填补国内在氮化镓蓝绿光激光器领域产业化的空白。全资子公司苏州半导体激光创新研究院与中科院苏州纳米所成立“氮化镓激光器联合实验室”，为拓展氮化镓材料体系的蓝绿激光方向奠定了基础。并与团队合资成立苏州镓锐芯光科技有限公司，目前该公司研制的绿光激光器光功率已达1.2W，处于国际先进水平。大功率蓝光激光器光功率已达7.5W，达到国际一流水平。相关产品已进入可靠性验证阶段，明年一季度可向市场推出产品。

要点四:车载激光雷达芯片
车载激光雷达芯片产品顺利通过车规级AEC-Q102认证，加上去年12月份通过的IATF16949质量体系认证，公司已成为汽车厂商合规可靠的车载激光雷达芯片供应商。作为全球少数几家具备6吋线外延，晶圆制造等关键制程生产能力的IDM半导体激光器企业，公司在车载雷达芯片的设计，生产和品质管理上，始终坚持高标准，严要求。除车载雷达用VCSEL激光器芯片外，公司还积极布局开发车载EEL边发射激光器及1550nm光纤激光器的泵浦源产品，随着项目的推进，将进一步巩固长光华芯全套激光雷达光源方案提供商的市场地位。

要点五:研发及制造工艺平台
公司已建成3吋，6吋半导体激光芯片量产线，拥有了一套从外延生长，晶圆制造，封装测试，可靠性验证相关的设备，并突破了晶体外延生长，晶圆工艺处理，封装，测试的关键核心技术及工艺。目前3吋量产线为半导体激光行业内的主流产线规格，而6吋量产线为该行业内最大尺寸的产线，相当于是硅基半导体的12吋量产线。大部分工艺环节达到了生产自动化。公司采用IDM模式进行半导体激光芯片的研发，生产与销售，掌握半导体激光芯片核心制造工艺技术关键环节，已建成3吋及6吋半导体激光芯片量产线，构建了GaAs（砷化镓），InP（磷化铟），GaN（氮化镓）三大材料体系，建立了边发射和面发射两大工艺技术和制造平台，具备各类以GaAs（砷化镓），InP（磷化铟），GaN（氮化镓）为衬底的半导体激光芯片的制造能力。

要点六:行业地位
经过多年的研发和产业化积累，针对半导体激光行业核心的芯片环节，公司已建成覆盖芯片设计，外延生长，晶圆处理工艺（光刻），解理/镀膜，封装测试，光纤耦合等IDM全流程工艺平台和3吋，6吋量产线，应用于多款半导体激光芯片开发，突破一系列关键技术，是少数研发和量产高功率半导体激光芯片的公司之一。同时，依托公司高功率半导体激光芯片的技术优势，公司业务横向扩展，建立了高效率VCSEL激光芯片和高速光通信芯片两大产品平台，另外公司业务向下游延伸，开发器件，模块及终端直接半导体激光器，上下游协同发展，公司在半导体激光行业的综合实力逐步提升。公司高亮度单管芯片和光纤耦合输出模块，高功率巴条和叠阵等产品，在功率，亮度，光电转换效率，寿命等方面屡次突破，获多项专利，与全球先进水平同步。

要点七:产品可扩展性
公司具备技术平台后，未来应用层面可以横向扩展，而在最擅长的高功率领域则可以深挖打通产业链，实现纵向扩展。在现有材料技术平台上即可进行应用扩展，从大功率市场走向小功率信号市场，其次，新的氮化镓平台开发完成后，可以直接打开可见光激光市场乃至部分无线通信，电功率芯片市场，现有材料平台中，磷化铟平台主要面向光通信，包含发射端和接收端，目前公司已在两端均提供了量产产品，且未来产品线有望进一步丰富。砷化镓平台方面，公司也已推出各种信号处理方向产品，目前产品主要集中在激光雷达与3D传感器的发射端，包含消费电子使用的结构光探测器VSL（VCSELStructuredLight）系列，车载激光雷达使用的75WVCSELVLR系列等。

要点八:布局创新资源生态链
公司的全资子公司苏州半导体激光创新研究院，一方面承担研发职能，例如激光创新研究院与中科院苏州纳米所合作成立“氮化镓激光器联合实验室”，另一方面该机构也是新型半导体材料相关的孵化和直投机构，有望为公司发展新型半导体材料发挥助力作用。对于非公司体内业务或较为长期的布局业务，公司则筹备成立光子产业基金用以带动社会资本，发挥杠杆效应。公司作为光子产业发起及骨干公司推动成立太湖光子中心的创建。产业链协同方面，公司通过参股公司等方式运作。例如：公司持股19.55%的公司华日精密主要经营固体及超快激光器，应用在精密微加工领域，与公司形成良好的产业链协同效应。

要点九:3吋，6吋半导体激光芯片量产线
公司已建成3吋，6吋半导体激光芯片量产线，拥有了一套从外延生长，晶圆制造，封装测试，可靠性验证相关的设备，并突破了晶体外延生长，晶圆工艺处理，封装，测试的关键核心技术及工艺。目前3吋量产线为半导体激光行业内的主流产线规格，而6吋量产线为该行业内最大尺寸的产线，相当于是硅基半导体的12吋量产线。大部分工艺环节达到了生产自动化，实现了高功率半导体激光芯片的研制和批量投产，芯片功率，效率，亮度等重要指标达到国际先进水平。公司采用IDM模式进行半导体激光芯片的研发，生产与销售，掌握半导体激光芯片核心制造工艺技术关键环节。

要点十:半导体激光芯片
公司聚焦半导体激光行业，始终专注于半导体激光芯片的研发，设计及制造，主要产品包含高功率单管系列产品，高功率巴条系列产品，高效率VCSEL系列产品及光通信芯片系列产品等，逐步实现高功率半导体激光芯片的国产化。公司紧跟下游市场发展趋势，不断开发具有领先性的产品，创新优化生产制造工艺，布局建设生产线，已形成由半导体激光芯片，器件，模块及直接半导体激光器构成的四大类，多系列产品矩阵，为半导体激光行业的垂直产业链公司。公司产品可广泛应用于：光纤激光器，固体激光器及超快激光器等光泵浦激光器泵浦源，直接半导体激光输出加工应用，激光智能制造装备，国家战略高技术，科学研究，医学美容，激光雷达，机器视觉定位，智能安防，消费电子，3D传感与摄像，人脸识别与生物传感等领域。通过测算，公司高功率半导体激光芯片在国内市场的占有率为13.41%， 在全球市场的占有率为3.88%，公司在高功率半导体激光芯片领域的国内市场占有率第一，居于国内领先位置。