盛美上海涨停/异动原因：
在手订单67.96亿+集成电路制造
1、2023年9月27日晚公告，公司至2023年9月27日，公司在手订单总金额为67.96亿元，其中，已签订合同订单总额65.26亿元，同比增长约四成，已中标尚未签订合同订单2.7亿元，同比增长近16倍。
2、2023年9月18日消息，盛美上海推出负压清洗平台以满足芯粒和其他3D先进封装结构清除助焊剂的独特需求。
3、公司镀铜设备可用于后道先进封装，已拓展到第三代半导体电镀。
4、公司从事对先进集成电路制造与先进晶圆级封装制造行业至关重要的单晶圆及槽式湿法清洗设备、电镀设备、无应力抛光设备、立式炉管设备和前道涂胶显影设备和等离子体增强化学气相沉积设备等的开发、制造和销售，并致力于为半导体制造商提供定制化、高性能、低消耗的工艺解决方案。
（更新时间：2023-09-28）

题材要点：

要点一:董事，高管增持公司股份计划
2024年1月份，公司董事，总经理王坚，副总经理陈福平，董事会秘书罗明珠基于对公司未来发展的信心和对公司长期投资价值的认可，拟自2024年1月29日起6个月内，通过上海证券交易所交易系统允许的方式（包含但不限于集中竞价和大宗交易等）增持公司股份，增持金额合计不少于人民币900万元且不超人民币1,200万元。

要点二:入选国家级专精特新“小巨人”企业公示名单
2023年7月份，根据上海市经济和信息化委员会发布的《关于上海市第五批专精特新“小巨人”企业和第二批专精特新“小巨人”复核通过企业名单的公示》，公司入选国家级第五批专精特新“小巨人”企业公示名单，入选名单的公示期于2023年7月20日结束。公司此次入选国家级专精特新“小巨人”企业公示名单，是相关政府部门对公司在半导体设备领域的持续创新能力，专业化发展战略，市场竞争优势，品牌影响力等方面的认可，有利于提高公司的知名度及市场竞争力，对公司未来发展将产生积极的影响。

要点三:募资投向
公司首发募资拟用于：盛美半导体设备研发与制造中心，投资总额88245.00万元，本项目拟在上海临港新片区新建半导体集成电路设备研发与制造中心，项目实施主体为公司全资子公司盛帷上海，该项目将于2023年投入使用，公司全部产能将迁移至该新建研发制造中心，为公司今后的快速发展打下坚实的基础，盛美半导体高端半导体设备研发项目，投资总额45000.00万元，本项目围绕公司跻身综合性国际集成电路装备企业第一梯队行列的战略目标，针对更先进的工艺节点，利用现有研发体系，开展半导体清洗设备，半导体电镀设备，先进封装湿法设备，及无应力抛光设备，立式炉管设备等高端工艺设备的升级迭代和产品拓展，从而扩展和建立起湿法和干法设备并举的种类齐全的产品线，补充流动资金，投资总额65000.00万元。

要点四:后道先进封装工艺设备
公司在半导体先进封装领域进行差异化开发，解决了在更大电镀液流量下实现平稳电镀的难题，2022年在高速电镀锡银方面也实现突破，在客户端成功量产。采用独创的第二阳极电场控制技术更好地控制晶圆平边或缺口区域的膜厚均匀性控制，实现高电流密度条件下的电镀，凸块产品的各项指标均满足客户要求。在针对高密度封装的电镀领域可以实现2μm超细RDL线的电镀及包含铜，镍，锡，银和金在内的各种金属层电镀。自主开发的橡胶环密封专利技术可以实现更好的密封效果。2022年进一步扩大市场规模并取得高端客户的批量订单。公司的升级版8/12寸兼容的涂胶设备，用于晶圆级封装领域的光刻胶和Polyimide涂布，软烤及边缘去除。

要点五:核心技术自主研发
通过多年的技术研发，公司在相关产品领域均掌握了相关核心技术，并在持续提高设备工艺性能，产能，提升客户产品良率和降低客户成本等方面不断进行创新。这些核心技术均在公司销售的产品中得以持续应用并形成公司产品的竞争力。国家集成电路创新中心和上海集成电路研发中心有限公司于2020年6月20日对公司的核心技术进行了评估，并出具了《关于盛美半导体设备（上海）股份有限公司核心技术的评估》，盛美上海的核心技术主要应用于半导体清洗设备，无应力抛光设备和电镀铜设备。这些核心技术均为盛美上海自主研发取得，与国内外知名设备厂商相比，部分核心技术已达到国际领先或国际先进的水平。

要点六:部分核心技术达到国际先进水平
国家集成电路创新中心和上海集成电路研发中心有限公司于2020年6月20日对公司的核心技术进行了评估，并出具了《关于盛美半导体设备（上海）股份有限公司核心技术的评估》，盛美上海的核心技术主要应用于半导体清洗设备，无应力抛光设备和电镀铜设备。这些核心技术均为盛美上海自主研发取得，与国内外知名设备厂商相比，部分核心技术已达到国际领先或国际先进的水平。公司2022年推出的多款拥有自主知识产权的新设备，新工艺，包含立式炉管设备，涂胶显影设备，等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备，核心技术均来源自主研发。其中UltraPmaxTM等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备，即将向中国的一家集成电路客户交付其首台PECVD设备。该设备及去年发布的前道涂胶显影设备UltraLith，这两个全新的产品系列将使公司全球可服务市场规模翻倍增加。

要点七:控股股东美国ACMR
公司控股股东美国ACMR于2017年11月在NASDAQ上市，美国ACMR作为控股型公司，未从事具体业务，其通过盛美半导体开展半导体专用设备的研发，生产和销售。公司本次发行上市系美国ACMR分拆其主要资产及全部业务在上海证券交易所科创板上市。截止至2022年末，美国ACMR持有公司82.50的股权。

要点八:半导体抛铜设备
公司在全球范围内首次提出了无应力抛光的概念，即SFP技术。该技术利用电化学反应原理，在抛除晶圆表面金属膜的过程中，完全摒弃了抛光过程的机械压力，从而根除了机械压力对金属布线的损伤。SFP无应力电化学抛光对图形片的优势就是不会对晶圆表面产生机械损伤，保证了最终铜互连线的质量。公司针对先进封装中3D TSV，2.5D硅中介层，RDL，HD Fan-out等金属层平坦化应用，自主研发了具有全球知识产权保护的无应力抛光设备，该设备具有工艺无应力，化学可回收使用，降低耗材成本，工艺环保排放少等特点。

要点九:先进封装湿法设备
公司基于先进的集成电路前端湿法清洗设备的技术，将产品应用拓展至先进封装应用领域。以先进封装的凸块（bumping）封装的典型工艺流程为例，在整个工艺流程中涉及的单片湿法设备包含清洗设备，涂胶设备，显影设备，去胶设备，湿法刻蚀设备，无应力抛光设备等。目前公司在先进封装行业的产品领域已覆盖全部单片湿法设备，产品先后进入封装企业生产线及科研机构，包含长电科技，通富微电，中芯长电，Nepes，华进半导体和中国科学院微电子研究所等知名封装企业和科研院所。

要点十:立式炉管设备
立式炉是集成电路制造过程中的关键工艺设备之一，可批式处理晶圆，按照工艺压力和应用可以分为常压炉和低压炉两类，常压炉主要完成热扩散掺杂，薄膜氧化，高温退火，低压炉主要实现不同类型的薄膜在晶圆表面的沉积工艺，主要是多晶硅，氮化硅，氧化硅等薄膜。公司研发的立式炉管设备主要由晶圆传输模块，工艺腔体模块，气体分配模块，温度控制模块，尾气处理模块及软件控制模块所构成，针对不同的应用和工艺需求进行设计制造，首先集中在LPCVD设备，再向氧化炉和扩散炉发展，最后逐步进入到ALD设备应用。

要点十一:客户情况
公司凭借先进的技术和丰富的产品线，已发展成为中国大陆少数具有一定国际竞争力的半导体专用设备提供商，产品得到众多国内外主流半导体厂商的认可，并取得良好的市场口碑。公司主要客户情况如下：晶圆制造客户包含海力士，华虹集团，长江存储，中芯国际，合肥长鑫，先进封装客户包含长电科技，通富微电，中芯长电，Nepes，半导体硅片制造及回收客户包含上海新昇，金瑞泓，台湾合晶科技，台湾昇阳，科研院所客户包含中国科学院微电子研究所，上海集成电路，华进半导体。

要点十二:半导体专用设备
公司主要从事半导体专用设备的研发，生产和销售，主要产品包含半导体清洗设备，半导体电镀设备和先进封装湿法设备等。公司坚持差异化竞争和创新的发展战略，通过自主研发的单片兆声波清洗技术，单片槽式组合清洗技术，电镀技术，无应力抛光技术和立式炉管技术等，向全球晶圆制造，先进封装及其他客户提供定制化的设备及工艺解决方案，有效提升客户的生产效率，提升产品良率并降低生产成本。公司经过多年持续的研发投入和技术积累，先后开发了单片清洗，槽式清洗及单片槽式组合清洗等清洗设备，用于芯片制造的前道铜互连电镀设备，后道先进封装电镀设备，及用于先进封装的湿法刻蚀设备，涂胶设备，显影设备，去胶设备，无应力抛光设备及立式炉管系列设备等。盛美半导体主要产品为集成电路领域的单片清洗设备，其中包含单片SAPS兆声波清洗设备，单片TEBO兆声波清洗设备，单片背面清洗设备，单片前道刷洗设备，槽式清洗设备，单片槽式组合清洗设备等。

要点十三:半导体电镀设备
在前道晶圆制造的电镀设备领域，目前全球市场主要被LAM垄断。除LAM外，盛美半导体是全球范围内少数几家掌握芯片铜互连电镀铜技术核心专利并实现产业化的公司之一，其自主开发了针对20-14nm及更先进技术节点的芯片制造前道铜互连镀铜技术（Ultra ECP map），采用多阳极局部电镀技术的新型电流控制方法，实现不同阳极之间毫秒级别的快速切换，在超薄籽晶层上完成无空穴填充，同时通过对不同阳极的电流调整，在无空穴填充后实现更好的沉积铜膜厚的均匀性。目前，盛美半导体的半导体电镀设备已持续接到了客户的订单。在后道先进封装电镀设备领域，全球范围内的主要设备商包含美国的Applied Materials和LAM等，在国内企业中，盛美半导体针对先进封装工艺进行差异化开发，解决了在更大电镀液流量下实现平稳电镀的难题，通过独创的第二阳极控制技术，可在工艺配方层面上更好的实现晶圆平边或缺口区域的膜厚均匀性控制，提高了封装环节的良率。

要点十四:清洗设备
公司通过自主研发并具有全球知识产权保护的SAPS和TEBO兆声波清洗技术，解决了兆声波技术在集成电路单片清洗设备上应用时，兆声波能量如何在晶圆上均匀分布及如何实现图形结构无损伤的全球性难题。为实现产能最大化，公司单片清洗设备可根据客户需求配置多个工艺腔体，最高可单台配置18腔体，有效提升客户的生产效率。公司自主研发的具有全球知识产权保护的Tahoe清洗设备在单个湿法清洗设备中集成了两个模块：槽式模块和单片模块。Tahoe清洗设备可被应用于光刻胶去除，刻蚀后清洗，离子注入后清洗和机械抛光后清洗等几十道关键清洗工艺中。Tahoe清洗设备的清洗效果与工艺适用性可与单片中低温SPM清洗设备相媲美。同时与单片清洗设备相比，还可大幅减少硫酸使用量，帮助客户降低生产成本又能更好符合国家节能减排政策。

要点十五:新型化合物半导体刻蚀设备
公司推出了6/8寸化合物半导体湿法工艺产品线，以支持化合物半导体领域的工艺应用，包含碳化硅(SiC)，氮化镓(GaN)和砷化镓(GaAs)等。

要点十六:前道半导体工艺设备
公司经过多年持续的研发投入和技术积累，先后开发了前道半导体工艺设备，包含清洗设备，半导体电镀设备，立式炉管系列设备（包含氧化，扩散，真空回火，LPCVD，ALD），涂胶显影Track设备，等离子体增强化学气相沉积PECVD设备，无应力抛光设备。公司通过自主研发并具有全球知识产权保护的SAPS和TEBO兆声波清洗技术，解决了兆声波技术在集成电路单片清洗设备上应用时，兆声波能量如何在晶圆上均匀分布及如何实现图形结构无损伤的全球性难题。为实现产能最大化，公司单片清洗设备可根据客户需求配置多个工艺腔体，最高可单台配置18腔体，有效提升客户的生产效率。公司独有的专利技术SAPS和TEBO兆声波技术。该设备可支持300mm晶圆单片SPM（硫酸和过氧化氢混合酸）工艺，可广泛应用于先进逻辑，DRAM，3D-NAND等集成电路制造中的湿法清洗和刻蚀工艺，尤其针对处理高剂量离子注入后的光刻胶（PR）去除工艺，及金属刻蚀，剥离工艺。