晶升股份涨停/异动原因：
签约1.2亿元重大合同+碳化硅单晶炉+次新股
1、2023年8月28日晚公告，公司近日与客户J签订了《【碳化硅炉】设备买卖合同》。合同价款合计暂估金额为(含税)1.2亿元，占2022年营收54.5%。
2、2023年8月17日晚公告，公司上半年营收1.14亿元，同比增长75.79%，净利润1508.77万元，同比增长447.17%。同日公告，拟推130万股限制性股票激励计划。本激励计划首次授予的限制性股票对应的考核年度为 2023年-2025年，以 2022年营收为基数，增长率不低于 80%、170%、270%。
3、公司主营6-8英寸碳化硅单晶炉、8-12英寸半导体级单晶炉等长晶设备，已成功与沪硅产业等实现绑定，与沪硅产业、立昂微等合作。
4、公司是碳化硅单晶炉国内主要供应商之一。2023年5月公告公司拟投资1亿元在浦口经济开发区投资南京晶升浦口半导体晶体生长设备生产及实验项目。
（更新时间：2023-08-29）

题材要点：

要点一:市场占有率，市场规模
截止至目前，半导体级晶体生长设备国产化率仍相对较低，S-TECH Co.,Ltd.等国外晶体生长供应商占国内硅片厂商采购晶体生长设备份额的比重约为70%左右，国内晶体生长供应商占国内市场份额仅为30%左右。公司12英寸半导体级单晶硅炉的国内市场占有率仅为9.01%-15.63%。国内半导体级硅片厂商产能高速增长将带动国内上游晶体生长设备行业实现规模化增长，预计至2025年产能增量为438万片/月，8英寸硅片产能增量为182万片/月，12英寸硅片产能增量为256万片/月。以行业单台设备产量水平（6万片/年-12万片/年）测算，截止至2025年，国内半导体级晶体生长设备市场可实现约438-876台新增市场规模。其中，8英寸产品可实现约182-364台新增市场规模，12英寸产品可实现约256-512台新增市场规模。结合报告期内公司产品销售价格及市场公开信息，国内半导体级晶体生长设备未来2-3年市场空间约为53.30亿元-141.64亿元。

要点二:实控人提议5000万-1亿元回购股份
2024年2月份，公司董事长，控股股东，实际控制人李辉先生提议公司以自有资金通过集中竞价交易方式回购公司部分股份，并在未来适宜时机用于实施员工持股计划或股权激励。本次回购资金总额不少于人民币5,000万元，不超人民币1亿元。回购股份的价格：回购股份价格上限不高于公司董事会审议通过回购方案决议前30个交易日公司股票交易均价的150%。回购期限：自公司董事会审议通过本次回购股份方案之日起12个月内。

要点三:半绝缘型碳化硅单晶炉
根据下游技术及应用发展趋势，公司自2018年起率先投入4-6英寸导电型碳化硅单晶炉研发，2019年实现首台产品销售，产品于2020年开始批量化投入下游碳化硅功率器件（导电型衬底）应用领域验证及应用。在导电型碳化硅单晶炉已实现技术能力基础上，公司2020年完成6英寸半绝缘型碳化硅单晶炉研发，改进，定型。2020年度，公司半绝缘型碳化硅单晶炉实现向国内领先半绝缘衬底厂商天岳先进的首台供应及产品验证。随着国内碳化硅行业不断发展，公司先后实现了对三安光电，东尼电子，浙江晶越等下游厂商的产品批量化供应，并持续推进与比亚迪等下游十余家碳化硅厂商的批量产品销售业务。

要点四:募资投向
公司募集资金在扣除发行费用后，拟用于：总部生产及研发中心建设项目，投资总额27365.39万元，半导体晶体生长设备总装测试厂区建设项目，投资总额20255.00万元。

要点五:技术研发
截止至招股意向书签署日，公司享有已授权国内专利76项，其中发明专利27项。公司承担了“江苏省科技项目—12英寸半导体硅单晶炉研发”，“江苏省高端装备研制赶超工程项目—12英寸半导体硅单晶炉”等项目。公司具备为不同类型的半导体材料客户提供晶体生长设备，工艺及技术服务的能力，在12英寸半导体级单晶硅炉的设计和制造方面，掌握了设备设计，晶体生长工艺及控制等技术，解决了半导体级单晶硅生长过程中晶体直径“控得稳”，液面距离“测得准”，晶体拉速“锁得住”，工艺窗口“卡得进”等核心难题，目前已在国内多家硅片制造厂商生产线进行产业化应用。公司自主研发了晶体生长设备建模与仿真技术，热场的设计与模拟技术，晶体生长设备设计技术，基于视觉图像的控制技术等核心技术。

要点六:其他晶体生长设备
公司根据客户差异化应用需求，研发并供应其他材料晶体生长设备。HC-SCET 1000系列设备采用分段式高纯度石墨电阻加热及热场结构，温场均匀性好，通过气流路径优化与热场防护技术，具有高腐蚀性气氛下排杂，杂质的定向沉积与热场稳定的特点，可满足高品质碳化硅原料合成，设备最大装料量达到100KG，大幅提升了原料合成效率。ANET920系列设备采用全金属保温系统，可靠的密封设计可有效降低晶体中的碳和氧元素含量，分段式钨网加热器温度梯度可控，周向温度均匀性好，多种测温方式相结合使得测温精度高，自主开发的温度，压力控制系统，可兼容多种温度，压力控制模式，满足不同长晶工艺的需求。SF280系列设备采用坩埚下降法，多温区控温，通过优化气路设计，可有效避免热场和晶体的相互污染，自动化程度高，可根据需要定制晶体形状，提高效率和原料的利用率。

要点七:客户情况
公司凭借多应用领域产品技术开发经验，已在晶体生长设备领域形成丰富产品序列，可满足客户差异化，定制化的晶体生长制造工艺需求，逐步发展成为国内具有较强竞争力的半导体级晶体生长设备供应商。依靠优质的产品及服务质量，公司得到了众多主流半导体厂商的认可，陆续开拓了上海新昇，金瑞泓，神工股份，三安光电，东尼电子，合晶科技及海思半导体等客户，已取得良好的市场口碑，确立了公司在半导体级晶体生长设备领域的市场地位。

要点八:蓝宝石单晶炉
公司生产的蓝宝石单晶炉主要应用于LED衬底及消费电子领域材料制造，采用多温区热场设计，具有温度梯度动态可调，大装料量，高良率，高热场稳定性，自动化程度高等特点。SET280系列用于260KG级蓝宝石单晶生长，作为LED芯片主要衬底材料。SET300系列用于300KG-420KG级蓝宝石单晶生长，作为LED芯片/消费电子主要材料。

要点九:碳化硅单晶炉
公司生产的碳化硅单晶炉主要应用于6英寸碳化硅单晶衬底，具有结构设计一体化，高精度控温控压，生产工艺可复制性强，高稳定性运行等特点。公司碳化硅单晶炉包含PVT感应加热/电阻加热单晶炉，TSSG单晶炉等类别产品，下游应用完整覆盖主流导电型/半绝缘型碳化硅晶体生长及衬底制备：①在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外延层制得碳化硅外延片，可进一步制成碳化硅二极管，碳化硅MOSFET等功率器件，下游应用领域主要包含新能源汽车（主驱逆变器，车载充电机（OBC），车载电源转换器，充电桩，UPS等），光伏发电（光伏逆变器），工业，家电，轨道交通，智能电网，航空航天等，②在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层制得碳化硅基氮化镓外延片，可制成HEMT等微波射频器件，下游应用领域主要包含5G通信，卫星，雷达等。